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中国5G芯片关键材料获突破 处于国际领先水平

发布时间:2019-02-21 21:27    来源媒体:证券时报

证券时报e公司讯,从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,也是发展第三代半导体产业的关键基础材料。相关公司有天富能源、天通股份。(中证资讯)

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